2022 年 4 月 2 日， 重庆大学超瞬态实验装置专家与中国科学院重庆绿色智能技术研究院（中科院重庆院）、韩国国立蔚山科学技术院等在二 维 单 晶 生 长 衬 底 铜 箔 材 料 方 面 的 最 新 研 究 成 果 ， 以“ Single-crystal two-dimensional material epitaxy ontailored non-single-crystal substrates ”为 题在 《 Naturecommunications》在线发表。重庆大学、蔚山科学技术院和中科院重庆院为共同通讯单位，黄晓旭教授（重庆大学）、丁峰教授（蔚山科学技术院）和史浩飞研究员（中科院重庆院）为共同通讯作者，李昕副研究员（中科院重庆院）、吴桂林教授（重庆大学）和张蕾宁博士（蔚山科学技术院）为共同一作。重庆大学作为共同作者参与此项工作的还有唐文新教授、黄天林教授、郦盟博士和博士生郭晶。

重庆大学黄晓旭团队、唐文新团队与中科院重庆院、国立蔚山科学技术院的合作始于 2017 年。此次发表的研究结果表明，铜箔表面特殊孪晶界面两侧外延生长的石墨烯岛具有定向成核特性，在长大过程中可以拼接为高质量单晶。研究团队从理论上解释了这一现象，制备了具有丰富孪晶界的晶圆级铜箔，并在这种多晶铜箔的表面成功地生长了晶圆级单晶石墨烯和六方氮化硼薄膜。这一发现打破了长期以来利用单晶衬底生长二维单晶材料的局限，大大增加了单晶二维材料的可用性，扩展了对材料外延基础理论的理解。

该研究工作得到了国家自然科学基金和国家重点研发计划项目的资助。